FAB SUPPORT AB har valt att arbeta med CS CLEAN SOLUTIONS som använder sig av kemiska reaktioner och avancerad teknik i sin design av avgasreningssystem, vilka är ojämförliga i sin effektivitet och mycket enkla att använda.
FAB SUPPORT har över 20 års erfarenhet av att återförsälja denna typ av torrbäddsprodukter.
FÖRDELAR:
CLEANSORB® torrbäddsystem konsumerar varken elektricitet, vatten eller bränsle. Utöver det förekommer ingen kontamination av värdefulla vattenresurser då använt vatten urladdas – vilket är en stor miljöfördel med tanke på ekobalansen.
TEKNOLOGI:
CLEANSORB®-granulatet konverterar farliga gaser till stabila oorganiska salter vid rumstemperatur. Det är den mest eleganta och miljövänliga tekniken vid avgasrening. En mängd olika modellstorlekar finns tillgängliga för att möta behovet från alla våra kunder, som kan vara allt från småskaliga forskningsavdelningar på universitet till fabriker som går dygnet runt.
KAPACITET:
En kolumn med CLEANSORB®-granulat kan binda flera tusen liter av giftiga gaser till säkra och solida biprodukter. Vi erbjuder optimerade lösningar för alla processtorlekar och applikationer.
REFILLSERVICE/ÅTERFYLLNING:
Använda CLEANSORB®-kolumner kastas inte, utan återfylls av oss på FAB SUPPORT med färskt granulat – med minimalt avfall.
OLIKA LÖSNINGAR SOM ERBJUDS:
- CLEANSORB® dry bed, för avlägsnande av avfall ur ett gassystem.
- CLEANSORB® LABLINE
- CLEANSORB® FABLINE FS/FX
- CLEANSORB® PRIMELINE PS/PD
- CLEANSORB® Stand Alone
- PCS Plasma Conversion Systems, för hantering av växthusgaser.
- CLEAN-PROTECT safeguard, mot oförutsedd frigörelse av gas.
- CLEANVENT mini cartridge, för gaskabinetter i ventilationssystem.
| Process Application | Typical Gases or Liquid Precursors Used/Abated | |
|---|---|---|
| Plasma Etch | Metal Etch | Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Poly Silicon Etch | Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8 | |
| Nitride Etch, Oxide Etch | CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, SF6, O2 | |
| Tungsten Etchback | SF6 | |
| Ion Implantation | High, Medium, Low | AsH3, PH3, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4 |
| ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD | TEOS, undoped | TEOS, O2, O3 |
| BPSG | TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 | |
| Poly-Si (doped) | SiH4, (AsH3, PH3) | |
| Silicon Germanium | SiH4, GeH4 | |
| Oxide | SiH4, O2 | |
| Nitride, doped | SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) | |
| Oxynitride, doped | SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) | |
| Low-k dielectrics | 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS | |
| High-k dielectrics | TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET | |
| Gate Electrodes | MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT | |
| Copper CVD | Cu(hfac)(TMVS) | |
| Tungsten (Silicide) | WF6, SiH4, H2, (DCS) | |
| Barrier Layers | TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6 | |
| Plasma Chamber Cleaning | PFC plasma | C2F6, C4F8, NF3 |
| Remote NF3 plasma | F2 | |
| Epitaxy | Silicon (doped) | DCS, TCS, SiH4, (AsH3, PH3, B2H6) |
| Silicon-Germanium | SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl | |
| Silicon-Carbide (SiC) | SiH4, CH4, C3H8, TMA, HCl | |
| Compound Semiconductors, Optoelectronics, III-V on Si | GaAs, InP MOVPE (MOCVD) | TMGa, AsH3, TBA, TMIn, PH3, TBP |
| GaN MOVPE (MOCVD) | TMGa, NH3, UDMH | |
| MBE (MOMBE) | Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2 | |
| Photovoltaics | Concentrator Photovoltaics | PH3, AsH3, metalorganics, SiH4, GeH4 |
| CIGS | H2S, H2Se | |
| Gas Supply | Emergency Gas Release Absorbers | Toxics, Pyrophorics, Corrosives |
| Gas Cabinet Purging |
Kontakta oss gärna för rådgivning kring valet av rätt scrubber för just era behov.